机译:金属对低于50 nm周期性特征制造的UV激发等离子体刻蚀的影响
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机译:等离子纳米粒子光刻:快速无抗蚀剂激光技术,用于大规模亚50 nm孔阵列制造
机译:使用电子束光刻技术制造磁记录设备的低于50 nm的关键特征
机译:一维和二维周期特征图案化的无掩模等离子光刻
机译:通过等离子增强应用的纳米掩膜技术制备亚10纳米金属结构
机译:使用干涉光刻和硫族化物光致抗蚀剂制备周期性等离子体结构。
机译:等离子体干扰光刻,用于低成本制造致密线,具有亚50nm半间距
机译:利用高分辨率电子束光刻和分子束外延制作亚50nm手指间距和宽度高速金属半导体金属光电探测器