机译:光学研究AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的降解机理:非辐射复合中心的产生
H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol BS8 1TL, United Kingdom;
机译:光学研究AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的降解机理:非辐射复合中心的产生
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管栅极上不同电压应力的AlGaN势垒层中主要降解机理的变化
机译:常关型p-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中栅二极管退化的研究
机译:双通道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的产生复合噪声
机译:Algan / GaN高电子迁移率晶体管通过热仿真和子带隙光学泵浦的可靠性研究
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:光学研究AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的降解机理:非辐射复合中心的产生
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管断态退化过程中温度影响的研究