机译:常关型p-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中栅二极管退化的研究
Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia;
机译:采用氧等离子体处理的常关型p-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:常关的P-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移晶体管使用氧等离子体处理
机译:研究i-GaN,n-GaN,p-GaN和InGaN盖层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的影响
机译:具有重新生长的p-GaN / AlGaN / GaN半极性栅极结构的GaN衬底上的1.7 kV / 1.0mΩcm2常关型垂直GaN晶体管
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:常关P-GaN门控AlGaN / GaN Hemts使用等离子体氧化技术在接入区域中
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管