机译:Si p-n结的应变感应电特性调制的比较研究
School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, No. 22 Hankou Rd., Nanjing 210093, People''s Republic of China;
band structure; carrier density; elemental semiconductors; minority carriers; p-n junctions; piezoresistance; silicon; 7120Mq; 7220Fr; 7220Jv; 7280Cw; 7340Lq;
机译:Si p-n结的应变感应电特性调制的比较研究
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机译:Si CMOS器件中p-n结和MOS电容器的应变感应I-V特性调制
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机译:扩散法制备的InSb p-n结的电学性质
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