机译:HgCdTe中As离子注入的势垒层诱导沟道效应及其对p-n结电学性质的影响
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机译:加热对/ CdTe / Au X和γ射线检测器的电和光谱性能与肖特基势垒或激光诱导的P-N结的影响
机译:质子注入硅的新探索:将表面区域纯化引起的p-n结转换为接近绝缘体上硅的p-i-n电结构
机译:阻挡层厚度和结构对HgCdTe外延层中As离子分布和注入损伤的影响
机译:超突变p-n结的空间电荷层宽度和结电容
机译:光和电激发下的p-n结光电流建模评估
机译:局部电应力诱导掺杂和二维单层膜的形成 石墨烯p-N结
机译:离子注入砷化镓形成p-n结的电学特性研究