碲镉汞材料离子注入P-N结产生损伤的修复方法

摘要

本发明公开了一种碲镉汞材料在离子注入形成P—N结过程中对材料产生损伤的修复方法。该方法只需在常规的碲镉汞材料离子注入形成P—N结的工艺后再用较小剂量、较低束流密度的离子再次注入该区。再注入的离子可以起到非平衡动态后处理的作用，使注入离子形成的P-N结性能有较明显改善，从而提高了光伏型红外探测器的性能。