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1.绪论
1.1HgCdTe环孔P-N结概述
1.2环孔P-N结的发展与现状
1.3本文的工作
参考文献
2.HgCdTe环孔p-n结的理论分析
2.1引言
2.2 HgCdTe环孔 P-N结
2.2.1 HgCdTe能带和本征载流子与组份和浓度的关系
2.2.2 P-N结空间电荷区的电场、电位分布
2.2.3接触电势差
2.3 P-N结伏安特性与R0A文献综述
2.3.1扩散电流及R0A
2.3.2产生一复合电流与R0A
2.3.3带间隧道电流及R0A
2.3.5光电流
2.4 HgCdTe环孔P-N结I-V特性和R0A理论分析
2.4.1 HgCdTe环孔P-N结扩散电流机制及R0A
2.4.2 R0A数值计算和分析
2.4.3环孔P-N结R0A讨论
2.4.4环孔P-N结R0A与平面结R0A比较
2.4.5扩散电流与产生-复合电流对温度的依赖关系讨论
2.5结论
参考文献
3.HgCdTe环孔P-N结I-V特性测试与分析
3.1引言
3.2环孔P-N结反向漏电流的测试与分析
3.2.1实验样品制备
3.2.2 I-V测试结果及讨论
3.3 I-V测试中的反常特性分析
3.3.1公共电极的制备
3.3.3理论分析
3.3.4反常特性的实验验证
3.4不同公共电极对探测元的影响分析
3.4.1版图设计
3.4.2测试结果与讨论
3.5环孔P-N结变温I-V测试
3.5.1实验
3.5.2变温I-V测试结果
3.5.3实验结果讨论
3.6结论
参考文献
4.环孔P-N结体电阻与截止波长关系分析
4.1引言
4.2环孔P-N结体电阻与HgCdTe组份的关系
4.3环孔P-N结的体电阻的测试与分析
4.3.1体电阻的测试与算法
4.3.2测试结果与讨论
4.4光谱响应测试
4.4.2 HgCdTe环孔P-N结光谱测试结果与讨论
4.5结论
参考文献
5.结束语
5.1本文的主要工作
5.2本工作的创新性
5.3结论
5.4本文的意义
致谢