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机译:离子注入汞碲化镉的结稳定性
DRS Infrared Technologies P.O. Box 740188 Dallas TX 75374 USA;
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Mercury cadmium telluride; infrared detector; ion implantation; mercury interstitials; mercury vacancies; diode formation; bake stability;
机译:离子注入汞碲化镉的结稳定性
机译:碲化汞镉结二极管中欧姆分流电阻的温度依赖性
机译:碲化汞镉结二极管中欧姆分流电阻的温度依赖性
机译:来自碲化镉锌基底上生长的汞镉碲化镉膜的ZHz排放
机译:碲化镉汞/碲化镉锌(211)B的异质结构和碲化汞/碲化镉镉超晶格的表征。
机译:使用环保浆料对碲化汞镉半导体进行化学机械抛光的新方法
机译:血液中的血液汞暴露于制备碲化镉基碱基碲化镉层。
机译:反应金属/汞 - 镉 - 碲化物结形成过程中的局部化学计量和原子相互扩散