机译:使用超高压氧化研究非晶铟锌氧化物薄膜中的固有缺陷掺杂机理
School of Engineering, Box D, Brown University, Providence, Rhode Island 02912, USA;
amorphous semiconductors; annealing; carrier density; chemical equilibrium; extrapolation; fugacity; high-pressure effects; indium compounds; oxidation; semiconductor doping; thin film transistors; zinc compounds; 6172uj; 6835bj; 8140Ef; 8140Gh; 8165Mq; 8260Hc;
机译:使用超高压氧化研究非晶铟锌氧化物薄膜中的固有缺陷掺杂机理
机译:无定形金属氧化物的批量电荷转移掺杂:富勒烯共混物用于溶液加工的无定形铟氧化锌薄膜晶体管
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机译:大气压化学汽相沉积织构化氧化锌,掺杂的二氧化钛和掺杂的氧化锌薄膜。
机译:通过超声化学喷涂技术沉积的掺杂铟的氧化锌薄膜从乙酰丙酮锌和氯化铟开始
机译:超声波化学喷涂技术沉积铟掺杂氧化锌薄膜,从乙酰丙酮锌和氯化铟开始