机译:堆叠故障:卤化物气相外延(001)β-GA_2O_3肖特基势垒二极管漏电流的起源
Department of Electrical and Electronic Engineering Saga University Saga 840-8505 Japan;
Novel Crystal Technology Inc. Sayama Saitama 350-1328 Japan;
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TDK Corporation Ichikawa 272-8558 Japan;
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机译:多晶缺陷 - 漏电流卤化物卤化物阶段外延(001)β-GA_2O_3肖特基势垒二极管通过超高敏感发射显微镜和同步X射线形貌鉴定
机译:在卤化物气相外延生长的n〜--Ga_2O_3漂移层上制造的Pt / Ga_2O_3(001)肖特基势垒二极管的温度相关电容电压和电流电压特性
机译:通过高敏感发射显微镜观察到的边缘定义的薄膜喂养生长(001)β-GA_2O_3肖特基势垒二极管的反向漏电流路径的起源
机译:用装置仿真研究影响4H-SIC结障舒丝二极管反向漏电流的堆垛机故障
机译:使用平面肖特基势垒二极管的毫米波集成移相器。
机译:外延SiC肖特基势垒二极管的大剂量电子辐射和预期的室温自愈
机译:4H-SiC(0001)外延层中向内生长的堆叠缺陷的表征及其对高压肖特基势垒二极管的影响
机译:通过可变带隙中间层控制外延Nial / Gaas(001)界面处的肖特基势垒高度