机译:SiOx和SiNx钝化对光照下Hf-In-Zn-O薄膜晶体管的负偏置稳定性的影响
Display Laboratory, Samsung Advanced Institute of Technology, San 14-1, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-Si, Gyeonggi-Do 446-712, Republic of Korea;
机译:SiOx和SiNx钝化对光照下Hf-In-Zn-O薄膜晶体管的负偏置稳定性的影响
机译:SiO_x和SiN_x钝化对光照下Hf-In-Zn-O薄膜晶体管的负偏置稳定性的影响
机译:光照条件下In / Zn比对Hf-In-Zn-O薄膜晶体管性能和负偏压不稳定性的影响
机译:具有SiNx / HfO2钝化层的P型SnO薄膜晶体管的栅极偏置和电流应力稳定性的增强
机译:铟镓锌氧化物和锌锡氧化物薄膜晶体管的制造工艺评估和负偏压照明应力研究。
机译:具有SiOx钝化层的非晶Si-Sn-O薄膜晶体管的电特性和稳定性的增强
机译:O-空位作为负偏差照明应力不稳定的起源 在非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管中