机译:C_4F_8的CORO原子层蚀刻SIO_2的物理吸水,然后是AR等离子体
Orleans Univ GREMI CN 14 Rue Issoudun BP 6744 F-45067 Orleans France;
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Tokyo Electron Ltd Minato Ku Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5 Chome Tokyo 1076325 Japan;
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America LLC TEL Technol Ctr NanoFab 300 South 255 Fuller Rd Suite 214 Albany NY 12203 USA;
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机译:用Ar和CHF_3等离子体对SiO_2进行原子层刻蚀:一种与纵横比无关的自限制刻蚀工艺
机译:基于C_4F_6和C_4F_8的双频叠加电容耦合等离子体中的ArF光刻胶对SiO_2蚀刻特性的比较
机译:在双频电容耦合C_4F_8 / CH_2F_2 / O_2 / Ar等离子体中SiO_2对CVD非晶碳掩模的蚀刻选择性的改善
机译:电感耦合等离子体反应离子刻蚀系统中基于SF_6 / C_4F_8 / Ar / O_2的化学物质对石英的高速各向异性刻蚀
机译:用于图案转移的高精度等离子刻蚀:基于碳氟化合物的原子层刻蚀
机译:腔室壁对使用循环Ar / C4F8等离子体的氟碳辅助的SiO2原子层蚀刻的影响
机译:使用含氟血浆和Al(CH3)3的Al2O3各向同性等离子体原子层蚀刻