University of Maryland, College Park.;
机译:甲基倍半硅氧烷SiOC(H)低k材料和SiC(H)蚀刻停止层的高密度碳氟化合物等离子体蚀刻:表面分析和蚀刻机理研究
机译:使用环状Ar / C4F8和Ar / CHF3等离子体表征Si的氟碳辅助原子层蚀刻
机译:抑制基于碳氟化合物的等离子体刻蚀过程中掺杂碳的低k介电层中的碳耗尽
机译:通过电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)和Ⅲ-Ⅴ材料的原子层刻蚀(ALE)进行低损伤刻蚀,以实现下一代器件性能。
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:腔室壁对使用循环Ar / C4F8等离子体的氟碳辅助的SiO2原子层蚀刻的影响
机译:使用氟碳基原子层蚀刻平衡离子参数和SiO2图案转移控制的氟碳化学反应物