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机译:MOCVD掺杂(010)β-GA_2O_3薄膜具有优异的运输性能
Ohio State Univ Dept Elect & Comp Engn Columbus OH 43210 USA;
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机译:具有优异传输性能的掺Si(010)β-Ga_2O_3薄膜的MOCVD同质外延
机译:(010)和(001)衬底上掺Si的β-Ga_2O_3薄膜的LPCVD同质外延
机译:(010)Ga_2O_3衬底上的β-(Al_xGa_(1-x))_ 2O_3薄膜的MOCVD外延和N型掺杂
机译:使用Si掺杂的界面层改善MOCVD-生长的INSB薄膜的电气和热电性能
机译:镧镍氧化物电极上MOCVD衍生的钙钛矿铅锆(x)钛(1-x)氧(3)和铅(scan钽)(1-x)钛(x)氧(3)薄膜的微观结构和电性能缓冲硅
机译:内在应力对非晶硅掺杂SnO2薄膜结构和光学性能的影响
机译:PI-MOCVD沉积镧镍氧化物的外延薄膜,结构表征和高温传输性能/
机译:用mOCVD生长211的反铁电锆酸铅薄膜的性质和取向