机译:Ge源中杂质浓度对Ge / Si异质结隧穿场效应晶体管电性能的影响
Univ Tokyo, Dept Elect Engn & Informat Syst, Bunkyo Ku, 2-11-16 Yayoi, Tokyo 1138656, Japan;
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机译:P-GaAs_(0.51)SB_(0.49)/ LN_(0.53)GA_(0.47)的性能提高为具有突然源杂质曲线的异结垂直隧道场效应晶体管
机译:双层隧道场效应晶体管的源工程,具有杂隧道结:厚度和杂质浓度
机译:杂质和组成分布对GaAsSb / InGaAs异质结垂直隧道场效应晶体管电特性的影响
机译:锗源杂质浓度对Ge / Si异质结隧穿FET电学特性的影响
机译:晶体硅中晶界和位错的电学性质:杂质掺入和氢化的影响。
机译:一种适用于低功率应用的新型锗环绕源栅极全能隧穿场效应晶体管
机译:用AU / CO / MGO隧道隧道触点的黑色磷基场效应晶体管的电气传输性能