机译:通过SiO2薄层生长的纳米级Ge种子在Si上形成高质量Ge的异质外延
Univ New Mexico, Albuquerque, NM 87131 USA;
INDUCED STACKING-FAULTS; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; SILICON; SI(100); OXYGEN;
机译:通过原位O-3氧化生长的具有SiO2薄层的原子层沉积Al2O3薄膜
机译:通过横向种子异质外延在SiO2涂层的硅晶片上形成单晶Ge膜
机译:从硅氢化物生长时锗硅层杂交异质型初始阶段的特征
机译:通过SiO_2中间层生长的纳米级种子垫,在Si上形成高品质Ge的异质外延。
机译:硅上的硅锗和硅锗碳合金薄膜的异质外延和干式氧化(100)。
机译:APTES对偶性和均匀性的纳米孔种子调节SiO2微粒上Ag壳的合成及纳米级还原用于定量单颗粒SERS
机译:应变对凝结生长具有纳米GexSi1-x层的SiO2 / GexSi1-x / SiO2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响