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机译:通过原位O-3氧化生长的具有SiO2薄层的原子层沉积Al2O3薄膜
Seoul Natl Univ, Sch Mat Sci & Engn, Seoul 151742, South Korea;
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; ELECTRICAL-PROPERTIES; OXIDES; MICROSCOPY; OXIDANT; OZONE;
机译:用Al2O3或SiO2覆盖层提高Lual薄膜的抗氧化性
机译:具有原子层沉积的Al2O3 / Pt纳米晶体/ Al2O3栅堆叠的电可编程可擦除In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储器
机译:杂质和硅酸盐形成依赖于O-3脉冲时间和原子层沉积La2O3薄膜中的生长温度
机译:使用原子层沉积的In-Ga-Zn-O薄膜的具有垂直沟道结构的透明氧化物薄膜晶体管
机译:通过90度离轴溅射原位生长的高临界转变温度超导薄膜和多层膜的合成和性能。
机译:原子层沉积金属氧化物机械破碎性能的薄膜工程
机译:用于薄膜晶体管应用的原子层沉积氧化锌和氧化锌氧化锌薄膜的基材依赖性生长行为
机译:热历史对热生长二氧化硅,siO2超薄膜应力相关特性的影响