机译:高温下氧化硅-氮化物-氧化物-硅结构的电荷衰减特性及氮化物陷阱密度分布的提取
Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, San 56-1, Shinlim-dong, Kwanak-gu, Seoul 151-742, Korea;
机译:使用改进的氧化硅-氮化物-氧化硅结构的负电荷衰减模型在高温下提取富硅氮化硅的电子陷阱密度分布
机译:用电荷泵法提取氮化硅阱中能量分布的氮化硅-氮化物-氧化硅-硅闪存
机译:底部氧化物厚度对SONOS结构中陷阱能分布的提取的影响
机译:从氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构的光注入特性分析氧化物本体俘获的电荷分布和密度
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:夹层结构的聚合物纳米复合材料在高温下具有高能量密度和出色的充放电效率
机译:出版商注:“氧化硅 - 氮化物氧化物 - 硅结构的”电荷衰减特性,升高温度和氮化物阱密度分布的提取“苹果酱。物理。吧。 85,660(2004)