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Publisher’s Note: “Charge decay characteristics of silicon-oxide-nitride-oxide-silicon structure at elevated temperatures and extraction of the nitride trap density distribution” Appl. Phys. Lett. 85, 660 (2004)

机译：出版商注：“氧化硅 - 氮化物氧化物 - 硅结构的”电荷衰减特性，升高温度和氮化物阱密度分布的提取“苹果酱。物理。吧。 85,660（2004）

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Tae Hun Kim; Jae Sung Sim; Jong Duk Lee; Hyung Cheol Shin; Byung-Gook Park;
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年度 2004
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