机译:纳米晶体半导体中费米能级的不固定
Department of Physics and INFM, University of Ferrara, Via Paradiso 12, 44100 Ferrara, Italy;
机译:费米能级的解除钉扎和金属氧化物半导体中的隧穿
机译:高电子迁移率晶体管的非合金欧姆接触使用Ge钝化金属-中间层-半导体结构的费米能级钉扎
机译:高位砷化镓金属绝缘体半导体电容器被非原位等离子体增强原子层沉积的AIN钝化,用于费米能级钉扎
机译:金属/ SI GaAs /金属系统:演示界面上费米能级的未钉扎
机译:所有外延模式和电流受限的半导体激光器均使用选择性费米能级钉扎。
机译:WO3中光诱导费米能级的脱钉
机译:高k GaAs金属绝缘体半导体电容器被非原位等离子体增强原子层沉积的AlN钝化以实现费米能级钉扎
机译:高载流子迁移率InGaas化合物半导体和GaN的高电介质 - 生长,界面结构研究和表面费米能级解旋