机译:高电子迁移率晶体管的非合金欧姆接触使用Ge钝化金属-中间层-半导体结构的费米能级钉扎
School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, Korea;
Fermi level unpinning; gallium arsenide; germanium; passivation; specific contact resistivity;
机译:金属层间半导体结构的SF 6 sub>等离子体处理GaAs上的非合金欧姆接触
机译:高电子迁移率晶体管的Si注入AlGaN / GaN异质结构的非合金欧姆接触的特性
机译:高电子迁移率晶体管的硅注入AlGaN / GaN异质结构的非合金欧姆接触的特性
机译:基于GaN的结构的非合金欧姆Cr / Pt / Au接触
机译:化合物半导体晶体管的欧姆接触
机译:通过插入TiO2中间层改善低温处理的金属/ n-Si欧姆接触的可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管
机译:高k GaAs金属绝缘体半导体电容器被非原位等离子体增强原子层沉积的AlN钝化以实现费米能级钉扎