机译:未经退火的溅射Ti:SiO_(2)薄膜发出的蓝光
Department of Electronic Engineering, Gunma University, 1-5-1 Tenjin-Cho, Kiryu-shi 376-8515, Japan;
机译:退火溅射非晶碳直接在SiO_上直接制备石墨烯而无转移工艺
机译:共溅射制备Eu掺杂Ta2O5薄膜的蓝光发射带的观察
机译:射频磁控溅射沉积氧化钽薄膜的蓝光发射观察
机译:来自溅射的蓝光发射:SiO {Sub} 2薄膜而不退火
机译:氢退火和衬底温度对射频溅射氧化锌薄膜性能的影响
机译:热氧化硅衬底上非常薄的共溅射Ti-Al和多层Ti / Al膜的相形成和高温稳定性
机译:用溅射形成Ti富镍薄膜形状记忆行为的组合物和退火