Ti-Nb系氧化物烧结体溅射靶、Ti-Nb系氧化物薄膜及该薄膜的制造方法

摘要

本发明涉及一种Ti-Nb系氧化物烧结体溅射靶，其特征在于，含有钛(Ti)、铌(Nb)，其余为氧和不可避免的杂质，Ti与Nb的原子比为0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79。本发明的主要课题在于高折射率且具有低消光系数的Ti-Nb系氧化物烧结体溅射靶、使用该靶得到Ti-Nb系氧化物薄膜、以及可以进行高速成膜。该薄膜的透射率优良，反射率下降及变动少，作为在光信息记录介质的干涉膜、保护膜或光记录介质的构成层的一部分中使用的薄膜有用，并且也可以应用于玻璃衬底，即作为热射线反射膜、防反射膜、干涉滤光片使用。

说明书

技术领域

本发明涉及能够高速形成高折射率、并且具有低消光系数的薄膜 的Ti-Nb系氧化物烧结体溅射靶、Ti-Nb系氧化物薄膜及该薄膜的制造 方法。

背景技术

近年来，开发了作为在不需要磁头的情况下而可以擦写的高密度 光信息记录介质的高密度记录光盘技术，并且将其迅速商品化。特别 是CD-RW，作为可以擦写的CD于1977年上市，目前已是最为普及的 相变型光盘。该CD-RW的擦写次数为约1000次。

另外，作为DVD用开发的DVD-RW也已商品化，该光盘的层结 构基本上与CD-RW相同或类似。其擦写次数为约1000次～约10000 次。

这些光盘通过照射光束使记录材料的透射率、反射率等产生光学 变化，从而进行信息的记录、复制、写入，并且是迅速普及的电子部 件。

一般而言，CD-RW或DVD-RW等使用的相变型光盘，具有如 下四层结构：用ZnS·SiO₂等高熔点电介质的保护层夹住Ag-In-Sb-Te 系或Ge-Sb-Te系等的记录薄膜层的两侧，并进一步设置有银或银合 金或者铝合金反射膜。另外，为了提高重复次数，根据需要在存储层 和保护层间加有界面层。

反射层和保护层除了要求使记录层的非晶部与结晶部的反射率差 增大的光学功能以外，还要求记录薄膜的耐湿性或防止热变形的功能、 以及记录时的热条件控制的功能(参考非专利文献1)。

最近，为了可以实现大容量、高密度的记录，提出了单面双层光 记录介质(参考专利文献1)。在该专利文献1中，沿激光的入射方向具 有在衬底1上形成的第一信息层和在衬底2上形成的第二信息层，两 信息层通过中间层以信息膜相互面对的方式粘贴在一起。

此时，第一信息层包括记录层和第一金属反射层，第二信息层由 第一保护层、第二保护层、记录层、第二金属反射层构成。此外，也 可以任选形成用于免受划痕、污垢等的硬涂层、热扩散层等层。另外， 对于这些保护层、记录层、反射层等，提出了多种材料。

由高熔点电介质形成的保护层需要：对升温和冷却而产生的反复 热应力具有耐受性，并且这些热影响不会影响反射膜和其它部位，并 且其自身薄，低反射率并且具有不变质的韧性。在该意义上，电介质 保护层具有重要作用。另外，当然，记录层、反射层、干涉膜层等也 在上述的CD、DVD等电子部件中发挥各自的功能，在该意义上它们 同样重要，这一点是毫无疑问的。

这些多层结构的各薄膜，通常通过溅射法形成。该溅射法使用的 原理如下：将由正极和负极组成的衬底与靶相对，在惰性气体氛围下 在这些衬底与靶间施加高电压以产生电场，此时电离的电子与惰性气 体撞击形成等离子体，该等离子体中的阳离子撞击到靶(负极)表面而击 出靶构成原子，该飞出的原子附着到相对的衬底表面形成膜。

在该方面，提出了使用氧化钛(TiOx)的靶作为用于形成热射线反 射膜、防反射膜的溅射靶(参考专利文献2)。此时，为了使溅射时的放 电稳定，将电阻率值设定为0.35Ωcm以下，可以进行DC溅射，可以 得到高折射率的薄膜。但是，由于膜的透射率降低，因此采取了进一 步引入氧将氧的含量调节为35重量％以上的方案。

不过，该氧的引入存在问题，存在成膜速度降低的缺点。因此， 尝试添加其它物质以提高成膜速度，不过，作为要求折射率高、吸收 少的膜的精密光学部件或电子部件的应用、特别是在400nm附近的短 波长侧成为问题。因此，氧化钛靶的成膜速度降低仍未解决。

此外，提出了形成由氧化钛和氧化铌或氧化钽构成的膜作为高折 射率电介质膜的技术(参考专利文献3)。但是，此时，将钛与铌的合金 或混合物作为靶，通过在含氧气氛中(反应性)进行溅射而形成。结果， 据记载所得高折射率电介质膜的折射率为2.5以下。此时，产生通过反 应溅射难以得到稳定的膜特性的问题、以及在光记录介质中很重要的 消光系数提高的问题。

对此，公开了氧化钛系(氧化钛和氧化铌)薄膜的光记录介质用薄膜 中，将折射率调节为2.5以上的技术(参考专利文献3)。此时，采取了 通过添加氧化铌降低电阻率，而实现DC溅射的方法，但是，即使这样 作为光记录介质用途仍然不充分。

此外，在光记录介质用薄膜中，存在记载了许多氧化物组合的专 利文献(专利文献4、专利文献5)。这些情况下，光记录介质用薄膜的 折射率应该是重要的，但是对其完全没有述及。即使考虑许多的组合， 折射率也根据组成多种多样，从而推测未进行充分的研究。另外，这 些文献中使用溅射靶制作薄膜，薄膜的性质受到靶成分组成及该靶性 状的强烈影响。但是，这些文献中未对其进行公开，仅仅是简单的组 成罗列，因此其技术内容的公开对于作为参考资料而言仍不充分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-79710号公报

专利文献2：日本专利第3836163号公报

专利文献3：日本特开2002-277630号公报

专利文献4：日本特开2003-13201号公报

专利文献5：日本特开2004-158145号公报

专利文献6：日本特开2009-157990号公报

非专利文献

非专利文献1：技术杂志《光学》26卷第1期，9～15页

发明内容

鉴于上述问题，本发明以提高Ti系氧化物烧结体溅射靶的成膜速 度为主要目的，课题在于通过使用该改良靶在衬底上溅射形成Ti系氧 化物薄膜，得到高折射率，具有低消光系数，并且透射率优良，反射 率的下降少，作为光信息记录介质的干涉膜或保护膜有用的薄膜。另 外，可以应用于玻璃衬底，即作为热射线反射膜、防反射膜、干涉滤 光片使用。

为了解决上述课题，本发明人进行了广泛深入的研究，结果发现， 在氧化钛中添加氧化铌是极其有效的，由此能够得到可以显著提高Ti 系氧化物烧结体靶的溅射成膜速度，并且不损害作为光信息记录介质 的干涉膜或保护膜的特性，可以保持透射率，防止反射率下降的材料。

基于该发现，本发明提供如下发明。

1)一种Ti-Nb系氧化物烧结体溅射靶，其特征在于，含有钛(Ti)、 铌(Nb)，其余为氧和不可避免的杂质，含有TiO₂和Nb₂O₅的中间化合 物TiNb₂O₇，Ti与Nb的原子比为0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79。

2)一种Ti-Nb系氧化物烧结体溅射靶，其特征在于，含有钛(Ti)、 铌(Nb)、其余为氧和不可避免的杂质，含有TiO₂和Nb₂O₅的中间化合 物TiNb₂O₇，Ti与Nb的原子比为0.57≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.75。

本发明还提供如下发明。

3)一种Ti-Nb系氧化物薄膜，其特征在于，含有钛(Ti)、铌(Nb)， 其余为氧和不可避免的杂质，Ti与Nb的原子比为 0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79，在400～410nm波长范围中的折射率超过 2.5，并且消光系数为0.01以下。

4)一种Ti-Nb系氧化物薄膜，其特征在于，含有钛(Ti)、铌(Nb)， 其余为氧和不可避免的杂质，Ti与Nb的原子比为 0.46≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79，在400～410nm波长范围中的折射率超过 2.5，并且消光系数为0.01以下。

5)一种Ti-Nb系氧化物薄膜，其特征在于，含有钛(Ti)、铌(Nb)， 其余为氧和不可避免的杂质，Ti与Nb的原子比为 0.57≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.75，在400～410nm波长范围中的折射率超过 2.5，并且消光系数为0.01以下。

6)上述3)～5)中任一项所述的Ti-Nb系氧化物薄膜，其特征在于， 折射率变动为0.012以下，消光系数为0.01以下。

7)上述3)～5)中任一项所述的Ti-Nb系氧化物薄膜，其特征在于， 折射率变动为0.01以下，消光系数为0.001以下。

8)上述3)～7)中任一项所述的Ti-Nb系氧化物薄膜，其特征在于， 其为在光干涉膜、保护膜或光记录介质的构成层的一部分中使用的薄 膜。

9)上述3)～8)中任一项所述的Ti-Nb系氧化物薄膜的制造方法，其 特征在于，使用混合有0.5～5％氧气的包含氩气和氧气的混合溅射气体 进行溅射，由此在基板上形成膜。

发明效果

如上所述，本发明可以得到高折射率、并且具有低消光系数的 Ti-Nb系氧化物薄膜，该薄膜通过使用Ti-Nb系氧化物烧结体靶进行溅 射，具有可以提高成膜速度的优良特性。通过本发明得到的薄膜作为 光信息记录介质的膜、层具有显著效果。本发明的薄膜的透射率优良， 反射率的下降少，作为光信息记录介质的干涉膜或保护膜特别有用。

高熔点电介质的保护层需要：对升温和冷却产生的反复热应力具 有耐受性，并且这些热影响不会影响反射膜和其它部位，并且其自身 薄，低反射率并且具有不变质的韧性，本申请发明的Ti-Nb系氧化物薄 膜具备能够应用于这种材料的特性。

具体实施方式

本发明的Ti-Nb系氧化物烧结体溅射靶，含有钛(Ti)、铌(Nb)，其 余为氧和不可避免的杂质，含有TiO₂与Nb₂O₅的中间化合物TiNb₂O₇， Ti与Nb的原子比为0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79。由此，可以得到比抵 抗为100Ωcm以下的Ti-Nb系氧化物烧结体靶。靶中的中间化合物 TiNb₂O₇可以通过XRD测定进行确认。

在靶的制造阶段，钛为TiO₂形式，铌为Nb₂O₅形式，调节它们的 摩尔比制作具有上述原子比率的靶。而且，生成两氧化物的中间化合 物TiNb₂O₇。因此，氧含量成为这些靶制作阶段中的成分比率。在靶的 制造阶段，有时产生氧空位，这些氧空位是降低电阻率的重要因素， 为优选的形式。但是，当然并非是期待该氧空位的成分比率。

通过使用上述本申请发明的靶进行溅射，可以得到基本具有相同 组成的Ti-Nb系氧化物薄膜。即，可以得到含有钛(Ti)、铌(Nb)，其余 为氧和不可避免的杂质，Ti与Nb的原子比为0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79 的Ti-Nb系氧化物薄膜。

溅射时，作为通常的溅射气体，使用添加有氧气的氩气，因此， 靶的组成和薄膜的组成有时稍有不同，但是，这并非本质的问题。即， 只要得到含有钛(Ti)、铌(Nb)，其余为氧和不可避免的杂质，Ti与Nb 的原子比为0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79的Ti-Nb系氧化物薄膜，就可以 得到显示本申请发明的特性的薄膜。

钛(Ti)与铌(Nb)的成分组成的比例，各自处于互补关系，在任一方 作为主成分的情况下，都可以得到同样的特性。即，可以具有作为在 光干涉膜、保护膜或光信息记录介质的构成层的一部分中使用的薄膜 的功能。

关于本申请发明的Ti-Nb系氧化物溅射靶，Nb/(Ti+Nb)的下限值 为0.39，上限值为0.79。这是因为，下限值低于0.39时成膜速度下降， 添加效果少。另外，上限值超过0.70时，溅射膜的折射率降低，不能 得到具有目标特性的薄膜。成膜速度具有随Nb量增加而提高的倾向。

在欲使薄膜的折射率变动更稳定的情况下，本申请发明的Ti-Nb 系氧化物薄膜优选为：含有钛(Ti)、铌(Nb)，其余为氧和不可避免的杂 质，Ti与Nb的原子比为0.46≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79的范围。

这是因为，下限值小于0.46时，折射率的变动量增大，添加效果 少。另外，上限值超过0.79时，溅射膜的折射率降低，因此不能得到 具有目标特性的薄膜。折射率的变动具有随Nb量增加而提高的倾向。

在欲使薄膜的非晶稳定性进一步提高的情况下，优选：含有钛(Ti)、 铌(Nb)，其余为氧和不可避免的杂质，Ti与Nb的原子比为 0.57≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.75的范围。使用该成分组成的靶作为此时使用 的靶进行溅射，由此可以实现。

薄膜的非晶稳定性如此提高的理由尚不明确，考虑是中间化合物 TiNb₂O₇难以容易地结晶的原因造成的。为了提高薄膜的非晶稳定性， 靶中的中间化合物TiNb₂O₇的存在是重要的。

这些薄膜可以得到在400～410nm波长范围中的折射率超过2.5， 并且消光系数为0.01以下的膜。另外，可以得到在400～410nm波长范 围中的消光系数为0.005以下，进一步消光系数为0.001以下的薄膜。

上述400～410nm波长范围，是蓝色激光的波长范围，在该波长范 围中，如上所述，折射率超过2.5，优选该折射率高。另外，可以实现 消光系数为0.01以下、0.005以下、进一步0.001以下，该消光系数越 低，越适合进行多层化。该Ti-Nb系氧化物薄膜作为干涉膜或保护膜有 用，特别是作为光记录介质有用。

此时的溅射，通过以在溅射气体中引入氧气进行调节，可以得到 消光系数低的薄膜。制造Ti-Nb系氧化物时，期望使用混合有0.5～5％ 氧气的包含氩气和氧气的混合气体进行溅射。由此，可以在衬底上形 成消光系数更低的Ti-Nb系氧化物薄膜。

如此地在氩气溅射气体中引入氧气进行溅射，因此，本发明的烧 结体靶有时与薄膜的成分组成相似但不相同。但是，靶与薄膜的成分 组成的差异很小，只要可以得到Ti与Nb的原子比为 0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79的Ti-Nb系氧化物薄膜，就可以得到显示本 申请发明的特性的薄膜。

为了提高溅射效率，需要靶的导电性，本申请发明的靶具备该条 件，可以进行DC(直流)溅射。

烧结体溅射靶中存在的TiNb₂O₇相以微粒形式均匀分散能够发挥 防止破裂的效果。可以说期望平均粒径为20μm以下。使用该烧结体溅 射靶，在含有0.5～5％氧气的氩气氛围中进行溅射，可以在衬底上形成 Ti-Nb系氧化物薄膜。

为了制造靶，作为原料，期望使用高纯度(通常4N以上)、平均粒 径10μm以下(优选平均粒径1μm以下)的氧化钛(TiO₂)及高纯度(通常 4N以上)、平均粒径10μm以下(优选平均粒径5μm以下)的酸化铌(Nb₂O₅) 粉末。将它们以达到本申请发明的组成比的方式进行调合。然后，将 成分调节后的这些粉末使用湿式球磨机或干混机(混合机)进行混合。

混合后，填充到碳制模具中，然后进行热压。热压的条件可以根 据组成成分而变化，通常在900～1300℃的范围内，面压力 100～500kgf/cm²的范围内进行。但是，该条件表示代表性条件，其选择 是任意的，没有特别限制。烧结后，对烧结体进行机械加工精加工为 靶形状。这样制作的靶，可以具有90％以上的相对密度。

另外，期望使用上述湿式球磨机或干混机(混合机)混合后，在 1000～1300℃进行煅烧，再用湿式球磨机处理约12小时～约25小时， 微粉碎至粒径1μm而制作浆料，用干燥机将该浆料干燥后，进行热压。 该工序是推荐用于得到均匀的靶组织的工序。通过以上操作，可以得 到具有规定组成的Ti-Nb系氧化物烧结体溅射靶。

实施例

以下，基于实施例和比较例进行说明。另外，本实施例仅仅是例 示的优选例子，本申请不受该例子的限制。即，本发明仅由权利要求 的范围所限制，本发明中包含的实施例以外的各种变形也包括在本发 明中。

(实施例1～5)

作为原料，准备高纯度(4N)、平均粒径1μm的氧化钛(TiO₂)及高 纯度(4N)、平均粒径3μm的酸化铌(Nb₂O₅)粉末，按下表所示的组成比 进行调合。然后，将成分调节后的这些粉末使用干混机进行混合，然 后在1000℃煅烧。之后，再用湿式球磨机处理约20小时，微粉碎至粒 径1μm而制作浆料。

然后，用干燥机将该浆料干燥，然后填充到碳制模具中进行热压。 热压条件是：1200℃、面压力300kgf/cm²。这样制作的靶，均具有90％ 以上的相对密度。

通过以上操作，可以得到具有表1所示组成的Ti-Nb系氧化物烧 结体溅射靶。如表1所示，靶的电阻率为0.01～0.5Ωcm。对从本烧结体 上取的样品进行XRD测定，确认存在TiNb₂O₇相。

然后，使用这样制造的溅射靶，在玻璃衬底上形成溅射膜。溅射 条件如表1所示为：Ar气体-O₂(0.5～5％)气体氛围中、气体压力：0.5Pa、 气体流量：50sccm、溅射功率：500～1000w，在此条件下进行DC溅 射。

结果，可以没有问题地实施DC溅射，该靶确认具有导电性。另 外，无溅射中的异常放电。

在玻璃衬底上形成1μm的溅射膜。成膜速度、通过EPMA分析得 到的膜组成分别如表1所示。

测定该溅射膜的折射率和消光系数。折射率和消光系数使用光波 长405nm、利用椭圆偏振计测定。

另外，折射率变动量通过将在玻璃衬底上溅射成膜的样品在80℃、 80％环境下保存200小时，由该环境保存前后的折射率差来求出。

这些结果同样如表1所示。

关于实施例1，靶组成和薄膜组成中的Ti与Nb的原子比均为0.39， 落入本申请发明的0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79的范围内，为其下限值。 结果，电阻率低至0.5Ωcm，成膜速度为为适合本申请发 明目的的溅射靶。另外，薄膜的折射率高达2.57，折射率变动量为0.012， 稍微不稳定，消光系数为0.005，稍高，可以形成合适的光记录介质的 干涉膜或保护膜等。

关于实施例2，靶组成和薄膜组成中的Ti与Nb的原子比均为0.57， 落入本申请发明的0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79的范围内。结果，电阻率 低至0.01Ωcm，成膜速度高达为适合本申请发明目的的 溅射靶。另外，薄膜的折射率高达2.56，折射率变动量为0.007，稳定， 消光系数低至0.0001，可以形成合适的光记录介质的干涉膜或保护膜 等。

关于实施例3，靶组成中Ti与Nb的原子比为0.67，薄膜组成中 Ti与Nb的原子比为0.66，落入本申请发明的0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79 的范围内。结果，电阻率低至0.02Ωcm，成膜速度高达为适合本申请发明目的的溅射靶。另外，薄膜的折射率高达2.55，折 射率变动量为0.005，稳定，消光系数低至0.0001，可以形成合适的光 记录介质的干涉膜或保护膜等。

关于实施例4，靶组成中Ti与Nb的原子比为0.75，薄膜组成中 Ti与Nb的原子比为0.75，落入本申请发明的0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79 的范围内。结果，电阻率低至0.05Ωcm，成膜速度高达为适合本申请发明目的的溅射靶。另外，薄膜的折射率高达2.55，折 射率变动量为0.005，稳定，消光系数低至0.0001，可以形成合适的光 记录介质的干涉膜或保护膜等。

关于实施例5，靶组成中Ti与Nb的原子比为0.79，薄膜组成中 Ti与Nb的原子比为0.79，落入本申请发明的0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79 的范围内。结果，电阻率低至0.03Ωcm，成膜速度高达为适合本申请发明目的的溅射靶。另外，薄膜的折射率高达2.54，折 射率变动量为0.004，稳定，消光系数低至0.0001，可以形成合适的光 记录介质的干涉膜或保护膜等。

关于实施例6，靶组成中Ti与Nb的原子比为0.46，薄膜组成中 Ti与Nb的原子比为0.46，落入本申请发明的0.46≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79 的范围内。结果，电阻率低至0.1Ωcm，成膜速度高达为 适合本申请发明目的的溅射靶。另外，薄膜的折射率高达2.56，折射 率变动量为0.01，稳定，消光系数低至0.0001，可以形成合适的光记 录介质的干涉膜或保护膜等。

(比较例1～4)

作为原料，与实施例1同样准备高纯度(4N)、平均粒径1μm的氧 化钛(TiO₂)及高纯度(4N)、平均粒径3μm的酸化铌(Nb₂O₅)粉末，按下 表所示的组成比进行调合。

然后，将成分调节后的这些粉末使用干混机进行混合，然后在1000 ℃煅烧。之后，再用湿式球磨机处理约20小时，微粉碎至粒径1μm而 制作浆料。

然后，用干燥机将该浆料干燥，然后填充到碳制模具中进行热压。 热压条件是：1000～1300℃、面压力300kgf/cm²。这样制作的靶，均具 有90％以上的相对密度。

通过以上操作，可以得到具有表1所示组成的Ti-Nb系氧化物烧 结体溅射靶。如表1所示，靶的电阻率为1～100(超过)Ωcm。 然后，使用这样制造的溅射靶，在玻璃衬底上形成溅射膜。溅射条件 如表1所示为：Ar气体-O₂(2％)气体氛围中、气体压力：0.5Pa、气体流 量：50sccm、溅射功率：500～1000w，在此条件下进行DC溅射。结 果，虽然可以实施DC溅射，但是成膜速度显著延迟。以下会记载比较 例的综合评价。

通过实施溅射，在玻璃衬底上形成的溅射膜。成膜速度、用 EPMA分析得到的膜组成分别如表1所示。另外，测定该溅射膜的折 射率和消光系数。折射率和消光系数使用光波长405nm、利用椭圆偏 振计测定。它们的结果同样如表1所示。

比较例1中，为不含铌(Nb)的氧化钛靶，该靶的电阻率高达 ＞100Ωcm，成膜速度显著降低至为不适合本申请发明目 的的溅射靶。

比较例2中，Ti与Nb的原子比为0.01，在本申请发明的 0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79的范围以外。结果，电阻率高达80Ωcm，成 膜速度显著低至为不适合本申请发明目的的溅射靶。

比较例3中，Ti与Nb的原子比为0.95，在本申请发明的 0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79的范围以外。结果，电阻率为1Ωcm，成膜 速度为稍高，但是折射率为2.48，下降，因此为不适合 本申请发明目的的溅射靶。

比较例4中，Ti与Nb的原子比为0.1，在本申请发明的 0.39≤(Nb/(Ti+Nb))≤0.79的范围以外。电阻率为1.5Ωcm，成膜速度低 至为不适合本申请发明目的的溅射靶。

(实施例和比较例的总结)

将上述实施例和比较例进行比较发现，如果落入本申请发明的范 围内，则均折射率高且稳定，消光系数减小。同样地，溅射靶的各成 分如果落入本申请发明的条件内，则得到靶的电阻率均为100Ωcm以 下，成膜速度高，膜的非晶性稳定的良好结果。

产业实用性

本发明涉及Ti-Nb系氧化物烧结体溅射靶及使用该靶进行溅射成 膜而得到的Ti-Nb系氧化物薄膜，通过本发明得到的薄膜为高折射率， 并且具有低消光系数，可以作为Blu-Rayデイスク(注册商标)等电子部件 等光信息记录介质的膜、层使用。

另外，本发明的薄膜同时透射率优良以及反射率的下降少，作为 在光信息记录介质的干涉膜、保护膜或光记录介质的构成层的一部分 中使用的薄膜特别有用。高熔点电介质的保护层作为需要：对升温和 冷却产生的热反复压力具有耐受性，并且这些热影响不会影响反射膜 和其它部位，并且其自身薄，低反射率并且具有不变质的韧性的电介 质保护层有用。

另外，具有这样的特性的材料，可以应用于建筑用玻璃、汽车用 玻璃、CRT、等离子体显示器，即可以作为热射线反射膜、防反射膜、 干涉滤光片使用。