机译:用于改变单晶硅取向的非晶化/模板化再结晶方法:混合取向衬底的另一种方法
机译:利用非晶化/模板化再结晶(ATR)方法在混合取向衬底上制造的CMOS的$ hbox {Si / SiO} _ {2} $接口特性
机译:非晶化/模板化再结晶法在混合取向衬底上制备的nMOSFET的电学特性
机译:图案化非晶化后,固相外延使杂化取向直接硅键合衬底中的掩模边缘缺陷再结晶
机译:使用直接硅键合(DSB)基板的混合取向技术(HOT)的非晶化和模板化重结晶(ATR)研究
机译:用于硅基MOS器件的新型沟道材料:锗,应变硅和混合晶体取向。
机译:微米级单晶硅中取决于晶体取向的疲劳特性
机译:具有混合定向的硅 - 绝缘体,用于GaN上GaN上的异质整合Si(100)衬底
机译:摩擦研究中单晶和多晶铜的重结晶和择优取向