低电场下LiNbO3薄膜在非晶衬底上的取向生长

摘要

报道了外加低电场和衬底温度对脉冲激光演积法制备的ＬｉＮｂＯ３薄膜取向的影响，在衬底温度为６００℃和外加电场为７Ｖ／ｃｍ的条件下，在石玻璃等非晶态衬底上获得了完全（００１）取向的ＬｉＮｂＯ３薄膜，在对具有自发极化的ＬｉＮｂＯ３在电场作用下成核生长机制和温度对ＬｉＮｂＯ３自发极化强度的影响进行分析础上，给出了低电场诱导铁电薄膜取向生长的物理依据。