机译:通过光致发光和电容电压分布图研究InAs / InGaAs量子点中的应变弛豫
Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, Republic of China;
机译:嵌入应变降低层的AlGaAs / InGaAs量子阱中InAs量子点的光致发光
机译:基于时间分辨泵浦和探针差分光致发光的InGaAs / GaAs量子阱中嵌入的InAs量子点的载流子动力学研究
机译:具有InGaAs应变降低层结构的InAs自组装量子点的温度依赖性和时间分辨光致发光研究
机译:光致发光谱依赖于InaAs / GaAs量子阱嵌入InAS量子点的温度和激励力
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:InAs / InGaAs量子点中连续体背景对载流子弛豫的影响
机译:Inas-Gaas和Inas-InGaas-Gaas量子点异质结构的温度依赖性调制反射率和光致发光
机译:Inas / Gaas堆积量子点和多量子阱中应变弛豫对拉曼光谱的影响