机译:硅中硼和磷掺杂杂质对太赫兹光学跃迁的温度依赖性
University of Cambridge, Cavendish Laboratory, Madingley Road, Cambridge, CB3 0HE, United Kingdom;
机译:基于6H-碳化硅中掺杂跃迁的大功率室温太赫兹发射极
机译:低温臭氧氧化过程中硅纳米线中硼和磷杂质的相互作用
机译:掺硼硅装置的TERAHERTZ辐射的温度依赖性。
机译:含硅硼和磷杂质掺杂剂的太赫兹发射和吸收特性以及温度的影响
机译:原子,分子和固态系统的能量和波函数性质:氢离子以及锂,氖和磷原子;三氟化硼-氨分子配合物和甲基衍生物;硅中的钒,铬和锰离子以及中性锰过渡金属杂质
机译:室温下非接触式无损确定硅晶圆中局部硼扩散区的掺杂剂分布
机译:硅中硼和磷掺杂杂质对太赫兹光学跃迁的温度依赖性
机译:硼掺杂硅中空穴迁移率,有效质量和电阻率的温度和掺杂浓度依赖性的理论和实验研究