机译:使用循环热氧化和退火工艺制造的高质量绝缘体上硅锗晶片
机译:通过氧注入和氧化增强退火制造的绝缘体上锗硅弛豫
机译:热退火对通过晶圆键合制造的绝缘体上的Ge绝缘体衬底的影响
机译:后氧化退火对n型4H-SiC(0001)晶片上生长的热氧化物可靠性的影响
机译:循环热氧化和退火制备应变松弛的绝缘体上硅锗(Si_0.35Ge_0.65OI)晶片
机译:氧化锌纳米粒子墨水的瞬态激光退火以制造氧化锌薄膜晶体管
机译:通过硅烷化合物改性和快速热退火处理化学镀镍磷膜在硅片上的附着力
机译:使用水热法制备氟掺杂氧化锡(FTO)纳米结构的冲洗温度的影响