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美国国际贸易委员会 337调查 硅晶片 绝缘体 ITC 公司;
机译:ITC在337调查中被要求驳回美国钢铁公司的反托拉斯诉讼请求
机译:植入氧晶片中绝缘体上硅层中电子陷阱状态的深入剖析以及绝缘体上硅/埋入氧化物界面附近的局部机械应力
机译:在(111)绝缘体上硅(SOI)晶片上的晶片级且高度可控制的硅纳米线晶体管阵列,用于在液态和气态环境中进行高度灵敏的检测
机译:光学二次谐波的快速无损检测绝缘体上硅晶片中的表面铜
机译:绝缘体上硅(SOI)晶片上的集成静电和压电转换轮廓模式MEMS谐振器
机译:建立扩展和简化的PITCh敲入管道-一种基于Web的MMEJ介导的基因敲入设计工具PITCh设计器以及PITChPITCh-TG和PITCh-KIKO的变体
机译:中国应对美国“337调查”的知识产权策略思路
机译:识别sOI(绝缘体上硅)晶片中的缺陷。
机译:形成包括集成电路的绝缘体上硅的方法,以及形成包括集成电路的绝缘体上硅的晶片键合方法
机译:利用晶片键合和晶片薄化制造薄膜绝缘体上硅晶片的方法
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