机译:通过InAIAsSb过度生长层增强InAs量子点的光学特性
机译:GaInAsSb长大层的应变工程及其对InAs / GaAs量子点光学性质的影响
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机译:具有GaAsSb过度生长层的高光学特性垂直对准的InAs量子点结构
机译:INAS量子点对IN_(0.1)GA_(0.9)的INAS量子点作为表面活性剂层和10°偏角(100)GaAs衬底的研究
机译:自组装InAs量子点的电子结构和光学性质。
机译:通过InAlAs中间层改变GaAsSb封盖的InAs量子点的光学性质
机译:INAS量子点对IN0.1GA0.9AS表面活性剂层和10O离角(100)GaAs衬底的研究