机译:基于TaO_x的多级存储应用的电阻存储器的电阻可控性和可变性改进
Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang, 790-784, South Korea;
Im2np, UMR CNRS 7334, Aix-Marseille Universite, Marseille, France;
Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang, 790-784, South Korea;
Im2np, UMR CNRS 7334, Aix-Marseille Universite, Marseille, France;
Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang, 790-784, South Korea;
机译:基于TaO_x的存储设备中极性相关和多级电阻切换相关机制的启示
机译:电阻随机存取存储器(RRAM):材料,切换机制,性能,多级电池(MLC)存储,建模和应用概述
机译:使用导电桥随机存取存储器的多级数据存储应用的可控量化电导
机译:基于热稳定的Tao_x基电阻存储器,具有MLC应用的锡电极
机译:具有多级电阻状态的基于氧化物的电阻式随机存取存储装置的理解和应用
机译:电阻性随机存取存储器(RRAM):材料交换机制性能多层单元(mlc)存储建模和应用概述
机译:基于SI3N4的纳米纳米电阻开关存储器的多电平切换特性,用于内存计算应用的阵列仿真