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【2h】

Multilevel Switching Characteristics of Si3N4-Based Nano-Wedge Resistive Switching Memory and Array Simulation for In-Memory Computing Application

机译：基于SI3N4的纳米纳米电阻开关存储器的多电平切换特性，用于内存计算应用的阵列仿真

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Dong Keun Lee; Min-Hwi Kim; Suhyun Bang; Tae-Hyeon Kim; Sungjun Kim; Seongjae Cho; Byung-Gook Park;
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年度 2020
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