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用于基于电阻的存储器应用的存储器装置

摘要

在特定实施例中,揭示一种存储器装置(100),其包括存储器单元(226),所述存储器单元(226)包括耦合到存取晶体管(230)的基于电阻的存储器元件(228)。所述存取晶体管具有第一氧化物厚度以使所述存储器单元能够在操作电压下操作。所述存储器装置还包括第一放大器(202),所述第一放大器(202)经配置以将所述存储器单元耦合到大于电压限值的供应电压(Vamp)以基于穿过所述存储器单元的电流产生数据信号。所述第一放大器包括箝位晶体管(216),所述箝位晶体管(216)具有大于所述第一氧化物厚度的第二氧化物厚度。所述箝位晶体管经配置以防止所述存储器单元处的所述操作电压超过所述电压限值。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-05-07

    授权

    授权

  • 2011-09-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 7/06 申请日:20090901

    实质审查的生效

  • 2011-08-10

    公开

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