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基于模仿电阻式存储器写入操作来调节电阻式存储器写入驱动器强度

摘要

公开了基于模仿电阻式存储器写入操作来调节电阻式存储器写入驱动器强度的各方面。在一方面,提供了一种写入驱动器调节电路以调节由写入驱动器向电阻式存储器提供的写入电流以用于写入操作。写入驱动器调节电路包括被配置为提供对提供给电阻式存储器的写入电流模仿的模仿写入电流的模仿写入驱动器。模仿写入电流被施加到包含对电阻式存储器的电阻分布模仿的模仿电阻式存储器元件的模仿电阻式存储器。当施加模仿写入电流时,模仿电压跨模仿电阻式存储器元件而生成。写入驱动器调节电路被配置为基于模仿电压来调节写入电流,使得写入电流对于写入操作是足够的,但是足够低以减少击穿。

著录项

  • 公开/公告号CN107210061A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-09-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201680009759.3

  • 发明设计人 金泰芸;金俊培;金晟烈;

    申请日2016-01-25

  • 分类号G11C11/16(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华;崔卿虎

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 03:26:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/16 申请日:20160125

    实质审查的生效

  • 2017-09-26

    公开

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