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用于电阻式随机存取存储器阵列的写入驱动器电路

摘要

在具体实施方式中公开的方面包括用于电阻式随机存取存储器(RAM)阵列的写入驱动器电路。在一个方面中,提供写入驱动器电路以支持向存储器系统中的电阻式RAM阵列中写入数据。写入驱动器电路被耦合到选择器电路,该选择器电路被配置为选择电阻式RAM阵列中的一个或者多个存储器位单元用于写入操作。隔离电路被提供在写入驱动器电路中以将电流源耦合到选择器电路以在写入操作期间提供写入电压并且在选择器电路没有参与写入操作时从选择器电路隔离电流源。通过在选择器电路待机时从电流源隔离选择器电路,可以减少选择器电路中的漏电流、因此减少存储器系统中的待机功率消耗。

著录项

  • 公开/公告号CN107408407B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201680014109.8

  • 发明设计人 金俊培;金晟烈;金泰芸;

    申请日2016-03-01

  • 分类号G11C11/16(20060101);G11C13/00(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 11:11:45

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