首页> 中文会议>第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 >一种应用于QWIP阵列的CMOS读出电路设计

一种应用于QWIP阵列的CMOS读出电路设计

摘要

由于量子阱红外探测器(QWIP)具有光吸收系数小、暗电流大等缺点,因而在设计其读出电路的光电流注入和暗电流抑制模块时困难比皎大。设计了一种应用于QWIP的读出电路,并进行了16x16阵列的流片。该电路采用CTIA输入电路,skimming暗电流抑制电路、CDS采样电路等相关电路结构,有效地抑制了暗电流和噪声对电路的影响。电路仿真结果及芯片测试结果均表明,电路明显地抑制了QWIP的缺点。电路0~2V偏压可调,读出帧速为10kHz。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号