机译:通过多相激发光致发光测绘识别独立式GaN基材穿线脱位的汉堡载体
Osaka Univ Grad Sch Engn Suita Osaka 5650871 Japan;
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GaN; multiphoton-excitation photoluminescence; dislocation; halide vapor phase epitaxy; etch pit method;
机译:穿线脱位和汉中载体在HVPE-生长的GaN散装晶体中的繁殖和效果在Na-Flowl-Growlow中的基材上
机译:拉曼映射法确定GaN晶体中螺纹位错的边缘分量Burgers矢量
机译:单色同步加速器X射线形貌在掠入射布拉格情形下观察到的4H-SiC晶体中基面位错和螺纹边缘位错的Burgers向量的对比和识别
机译:在具有相关堆叠缺陷的4H-SiC PVT生长衬底中观察到Burgers向量c / c + a的螺纹位错的偏转
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:从硅衬底上分离出来的独立式GaN上的InGaN / GaN蓝色发光二极管的正向隧穿特性研究
机译:富含缺陷的GaN中间层,促进在(0001)的蓝宝石底板上生长的极性GaN晶体中的螺纹脱位湮灭
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管