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【2h】

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates

机译：富含缺陷的GaN中间层，促进在（0001）的蓝宝石底板上生长的极性GaN晶体中的螺纹脱位湮灭

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M. Barchuk; M. Motylenko; T. Schneider; M. Förste; C. Röder; A. Davydok; S. Lazarev; C. Schimpf; C. Wüstefeld; O. Pätzold; D. Rafaja;
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年度 2019
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2. Characteristics and Interactions of Threading Dislocations in GaN Films Grown on (0001) Sapphire Substrates With or Without Short-Period Superlattice Insertion [J] . Wei-Lin Wang, Jyh-Rong Gong, Cheng-Liang Wang, Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers, Brief Communications & Review Papers . 2006,第9A期

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