机译:用二元氢化物热退火制造的氢掺杂SMFEASO外延膜的临界温度和临界电流密度
Tokyo Inst Technol Inst Innovat Res Lab Mat & Struct Midori Ku Mailbox R3-3 4259 Nagatsuta Cho Yokohama Kanagawa 2268503 Japan|Tokyo Inst Technol Mat Res Ctr Element Strategy Midori Ku Mailbox SE-1 4259 Nagatsuta Cho Yokohama Kanagawa 2268503 Japan;
Tokyo Inst Technol Inst Innovat Res Lab Mat & Struct Midori Ku Mailbox R3-3 4259 Nagatsuta Cho Yokohama Kanagawa 2268503 Japan;
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Fe-based superconductors; thin films; hydrogen;
机译:CVD生长的B膜在Mg蒸气中的异位退火制得的MgB2膜中临界电流密度的厚度依赖性
机译:通过射频溅射和后退火工艺制造的Bi,Pb2223薄膜的临界电流密度提高
机译:高温超导外延膜中临界电流密度与厚度的关系的现象模型
机译:二元掺杂SMFEASO超导体中的微观结构细化和增强的临界电流密度
机译:通过CVD硼薄膜的异位退火生长的超导二硼化镁薄膜中的临界电流密度的研究。
机译:具有固溶处理的金属氧化物半导体和介电膜的可穿戴式1 V工作薄膜晶体管通过低温深紫外光退火在低温下制成
机译:低生长速率和低温条件下由分子束外延制造的临界电流密度的劣化MGB 2 sub>薄膜
机译:Y1B2Cu3O(7-x)薄超导薄膜的临界电流密度,j(sub c),临界温度,T(sub c)和结构质量之间的相关性