机译:嵌入SiC(0001)表面的外延石墨烯岛的原子结构和物理性质
NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
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机译:未重构的6H-SiC {0001}表面和外延石墨烯的原子和电子结构的第一性原理研究
机译:SiC(0001)上外延石墨烯下方锰原子层的原子尺度形态和电子结构
机译:在SiC(0001?)表面上生长的多层外延石墨烯;结构和电子性能
机译:SiC(0001)表面上外延石墨烯岛的原子结构及其磁电效应
机译:在碳化硅(0001)上生长的外延石墨烯的原子尺度性质。
机译:表面改性和磨料抛光之间的竞争:控制4H-SiC表面原子结构的方法(0001)
机译:揭示siC(0001)与siC之间缓冲层的原子结构 外延石墨烯