机译:浸没式光刻:光掩模和晶圆级材料
DuPont Co. Central Research, E400-5207 Experimental Station, Wilmington, DE 19880-0400;
DuPont Co. Central Research, E400-5207 Experimental Station, Wilmington, DE 19880-0400;
photoresist; pellicle; high-index fluid; phase shift; double patterning;
机译:用于193 nm浸没式光刻和157 nm光刻的氟化材料的合成
机译:193 nm浸没式光刻图形材料的研究进展
机译:193 nm浸没式光刻图形材料的研究进展
机译:双金属热浸光刻和灰度光掩膜的双金属热阻潜力
机译:利用激光诱导的等离子体对光刻光掩模上的纳米膜进行材料改变和无损伤纳米颗粒去除。
机译:亚10 nm特征铬光掩模用于方形金属环阵列的接触光刻构图
机译:评估金属碲化物的稳定性作为极端紫外线光刻的替代光掩模材料