机译:Si符合GaN克服了Si上厚GaN异质外延的热失配
Univ Calif San Diego, Mat Sci & Engn Program, La Jolla, CA 92093 USA;
Univ Calif San Diego, Dept Elect & Comp Engn, La Jolla, CA 92093 USA;
Univ Calif San Diego, Dept Elect & Comp Engn, La Jolla, CA 92093 USA;
Univ Calif San Diego, Mat Sci & Engn Program, La Jolla, CA 92093 USA|Univ Calif San Diego, Dept Elect & Comp Engn, La Jolla, CA 92093 USA|Univ Calif San Diego, Dept NanoEngn, La Jolla, CA 92093 USA;
GaN on Si; heteroepitaxy; MISFETs; MOCVD; selective area growth;
机译:大面积工程衬底上厚GaN外延层和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的电热评估
机译:使用碱性氨的氨热法在自由站立的GaN晶种上生长的厚GaN膜的结构表征
机译:使用紫外瞬态热反射对GaN异质环进行热表征
机译:在块状GaN衬底上通过具有厚GaN缓冲层的GaN栅极注入晶体管实现高速开关和无电流崩塌操作
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:SI符合GaN克服厚GaN的杂交的热不匹配
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。