GaN-Si异质外延结构及制备方法

摘要

本发明的GaN‑Si异质外延结构及制备方法，在Si基底中形成凹槽，并在凹槽底部形成局部SOI衬底，从而通过局部SOI衬底可吸收GaN层外延过程中产生的应力，降低Al_xGa_1‑xN过渡层的厚度，减少生长工艺时间，降低工艺成本，且提高导热性能，同时局部SOI埋氧层，可提高GaN器件的击穿电压，且可减少RF应用时的损耗及串扰；通过覆盖凹槽侧壁的绝缘侧墙，可有效隔离外延生长的GaN层，降低工艺难度；在Si基底的凹槽中，进行区域选择性外延生长GaN层，可降低工艺难度；从而本发明可在大尺寸的Si基底上异质外延均匀的、高质量的GaN层。