机译:软光刻中的图案转移保真度:图案密度和纵横比的作用
Bell Laboratories, Lucent Technologies 600 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974 (USA);
机译:UV纳米压印光刻中高密度,高纵横比纳米级图案的转移技术和脱模力的测量
机译:PDMS压模表面上钯(II)-硫醇配合物的形成和使用,用于使用软光刻技术制造高分辨率和高密度金属图案
机译:适用于不同长宽比的亚波长图案的相移光刻
机译:在激光光刻上使用OPC图形生成增强图形保真度
机译:分步和快速压印光刻:用于超高密度磁性数据存储设备的图案化介质的制造。
机译:用于制备自组织软微蜂窝的粘弹性光刻技术高纵横比的结构
机译:PhotoPatternable硅弹性体,具有可调节的高保真纳米尺变的物理韧性软光刻
机译:用软X射线光刻技术制备高纵横比区域板的研究进展