机译:通过缓冲层工程调整AlGaN / CaN异质结构中的电和热输运
Stanford Univ, Dept Mech Engn, Stanford, CA 94305 USA;
Hanyang Univ, Dept Mech Engn, Seoul 04763, South Korea;
Stanford Univ, Dept Elect Engn, Stanford, CA 94305 USA;
Stanford Univ, Dept Mech Engn, Stanford, CA 94305 USA;
Stanford Univ, Stanford Nanofabricat Facil, Stanford, CA 94305 USA;
Stanford Univ, Dept Elect Engn, Stanford, CA 94305 USA;
Stanford Univ, Dept Elect Engn, Stanford, CA 94305 USA;
2DEG; AlGaN/GaN; polarization; Seebeck coefficients; thermal conductivity;
机译:缓冲层对生长在Si上的AlGaN / GaN异质结构的电学,光学和结构性能的影响
机译:各种盖层引起的AlGaN势垒层应变弛豫对AlGaN / GaN异质结构中输运性能的影响
机译:用AlGaN中间夹层对双异质结构GaN / AlGaN外延层的电性能的表征
机译:使用多AlN缓冲层在等离子体辅助分子束外延的多Aln缓冲层的生长和特征
机译:分子束外延生长的砷化镓锰外延层和异质结构的电输运研究。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:调整alGaN / GaN异质结构中的电学和热传输 通过缓冲层工程
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应