机译:通过火焰化学气相沉积实现快速半导体-金属双向转变
机译:热线化学气相沉积法超快沉积氮化硅和半导体硅薄膜
机译:化合物半导体的有机金属化学气相沉积
机译:使用垂直入射原位光学生长速率监视器来控制通过有机金属化学气相沉积进行的氮化物半导体沉积的限制
机译:晶格匹配的III-V / IV组半导体异质结构:金属有机化学气相沉积和远程等离子体增强化学气相沉积。
机译:在Nafion负载的电化学沉积钴纳米粒子上进行等离子体增强化学气相沉积产生的金属/碳杂化纳米结构
机译:通过热线化学气相沉积法快速沉积氮化硅和半导体硅薄膜
机译:mOCVD(金属有机化学气相沉积)III / V半导体生长的原位机理研究