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Anisotropic in-plane spin splitting in an asymmetric (001) GaAs/AlGaAs quantum well

机译:非对称(001)GaAs / AlGaAs量子阱中的各向异性面内自旋分裂

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摘要

The in-plane spin splitting of conduction-band electron has been investigated in an asymmetric (001) GaAs/AlxGa1-xAs quantum well by time-resolved Kerr rotation technique under a transverse magnetic field. The distinctive anisotropy of the spin splitting was observed while the temperature is below approximately 200 K. This anisotropy emerges from the combined effect of Dresselhaus spin-orbit coupling plus asymmetric potential gradients. We also exploit the temperature dependence of spin-splitting energy. Both the anisotropy of spin splitting and the in-plane effective g-factor decrease with increasing temperature.>PACS: 78.47.jm, 71.70.Ej, 75.75.+a, 72.25.Fe,
机译:通过时间分辨克尔旋转技术在横向磁场下,在不对称(001)GaAs / AlxGa1-xAs量子阱中研究了导带电子的面内自旋分裂。当温度低于约200 K时,观察到了自旋分裂的独特各向异性。这种各向异性是由Dresselhaus自旋轨道耦合加上不对称电势梯度的综合作用产生的。我们还利用了自旋分裂能量的温度依赖性。 > PACS: 78.47.jm,71.70.Ej,75.75。+ a,72.25.Fe,自旋分裂的各向异性和面内有效g因子都随温度降低而降低。

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