Ultraviolet Light-emitting diodes Homoepitaxially Carrier confinement External quantum efficiency;
机译:在独立m面GaN衬底上生长的InGaN / GaN发光二极管的形态演变
机译:在独立m面GaN衬底上生长的InGaN / GaN发光二极管的形态演变
机译:在独立式GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱蓝色发光二极管中的效率下降
机译:InGaN / GaN发光二极管中局部态的载流子捕获和复合。
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:非极性m面InGaN / GaN发光二极管的有效载流子注入传输弛豫和复合与更强的载流子定位和低极化效应相关
机译:独立式GaN衬底对紫外InGaN发光二极管中载流子定位的影响