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夏长生; 李志锋; 王茺; 陈效双; 陆卫;
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室;
InGaN/GaN发光二极管; 光子运动轨迹; 外量子效率;
机译:从硅衬底上分离出来的独立式GaN上的InGaN / GaN蓝色发光二极管的正向隧穿特性研究
机译:不同衬底上生长的InGaN / GaN超宽发光二极管的效率和下垂特性比较研究
机译:化学湿法刻蚀在粗糙的背面GaN衬底上基于InGaN的发光二极管的研究
机译:用图案化蓝宝石衬底模拟InGaN / GaN发光二极管
机译:InGaN / GaN发光二极管热性能的调查分析
机译:Si衬底独立式GaN上ingaN / GaN蓝发光二极管向前隧穿特性研究
机译:Nichia alGaN / InGaN / GaN蓝色发光二极管的寿命试验
机译:使用GaN衬底作为生长衬底的GaN基发光二极管和包括该衬底的发光器件
机译:GaN单晶衬底,制造GaN单晶衬底的方法,在GaN单晶衬底上形成的发光元件以及制造该GaN单晶衬底的方法
机译:具有InGaN / GaN超晶格的发光二极管的制造方法
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