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Maskless inverted pyramid texturization of silicon

机译:硅的无掩模倒金字塔形组织化

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摘要

We discovered a technical solution of such outstanding importance that it can trigger new approaches in silicon wet etching processing and, in particular, photovoltaic cell manufacturing. The so called inverted pyramid arrays, outperforming conventional pyramid textures and black silicon because of their superior light-trapping and structure characteristics, can currently only be achieved using more complex techniques involving lithography, laser processing, etc. Importantly, our data demonstrate a feasibility of inverted pyramidal texturization of silicon by maskless Cu-nanoparticles assisted etching in Cu(NO3)2 / HF / H2O2 / H2O solutions and as such may have significant impacts on communities of fellow researchers and industrialists.
机译:我们发现了一种非常重要的技术解决方案,它可以触发硅湿法刻蚀处理,尤其是光伏电池制造中的新方法。所谓的倒金字塔阵列,由于其优异的光捕获和结构特性,其性能优于常规金字塔纹理和黑硅,目前只能使用涉及光刻,激光加工等的更复杂技术来实现。重要的是,我们的数据证明了可实现的可行性。通过无掩模铜纳米粒子对硅进行倒金字塔金字塔结构化,有助于在Cu(NO3)2 / HF / H2O2 / H2O溶液中进行蚀刻,因此可能会对研究人员和工业家的社区产生重大影响。

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